提供独特的等离子体源技术
刻蚀技术是按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。等离子刻蚀是利用射频激发气体形成等离子体并产生化学反应活性物质,使晶圆表面暴露区域材料被刻蚀,而掩膜保护区域材料得以保留。
2138cc太阳集团官网股份等离子体刻蚀设备系列产品可以对离子能量和离子密度进行独立控制。设备刻蚀选择比高,器件等离子体损伤低,适用于半导体制造前后段薄膜刻蚀。
2138cc太阳集团官网股份等离子体刻蚀设备系列产品刻蚀速度快,晶圆器件等离子体损伤小、器件性能表现优异、反应腔损耗品寿命长,是大规模量产的电感耦合等离子体刻蚀设备。